Курсы праводзяцца пад кіраўніцтвам прафесара кафедры мікра і нанаэлектарнікі БДУІРБарысенкі Віктара Яўгенавіча,доктара фізіка-матэматычных навук, прафесара, навуковага кіраўніка Цэнтра нанаэлектронікі і новых матэрыялаў (Цэнтр 4.11 НІЧ БДУІР), сустаршыні Міжнароднай канферэнцыі па фізіцы, хіміі і прымяненню нанаструктур Nanomeeting (www.nanomeeting.org, праводзіцца адзін раз на два гады ў Мінску). Інстытута Фізікі (Вялікабрытанія). Падрыхтаваў 25 кандыдатаў і 5 дактароў навук
Мэта курса- фарміраванне ў слухачоў ведаў аб фундаментальных фізічных заканамернасцях з'яў у нанапамерных цвёрдацельных структурах, пераважна на паўправадніковых матэрыялах, аб тэхналагічных метадах стварэння нанапамерных структур (аб нанатэхналогіі), аб іх электронных, магнітных, аптычных уласцівасцях і аб магчымасцях іх прымянення ў інтэграваных сістэмах апрацоўкі інфармацыі.
У выніку засваення курса слухач павінен:
· Значыць, што такое нізкапамерныя і нанапамерныя структуры, якімі тэхналагічнымі метадамі яны фарміруюцца, якія іх асноўныя электронныя і аптычныя ўласцівасці, якія электронныя і оптаэлектронныя прыборы могуць быць створаны на іх аснове;
· умець характарызаваць эфекты, якія вызначаюць электронныя і аптычныя ўласцівасці нанапамерных структур і прыбораў на іх аснове, аналізаваць перавагі і абмежаванні прыбораў нанаэлектронікі ў параўнанні з іншымі электроннымі і оптаэлектроннымі прыборамі;
·       набыць навыкі выбару тэхналагічных сродкаў для стварэння прыбораў нанаэлектронікі, камп'ютэрнага мадэлявання параметраў нанаэлектронных прыбораў.
Праграма курса
Фізічныя асновы нанаэлектронікі
Фундаментальныя з'явы ў нізкаразмерных структурах. Квантавае абмежаванне. Балістычны транспарт. Тунэляванне. Спінавыя эфекты.
Элементы нізкаразмерных структур. Вольная паверхня і міжфазныя межы. Звышрашоткі. Мадэляванне атамных канфігурацый.
Структуры з квантавым абмежаваннем унутраным электрычным полем. Квантавыя студні. Мадуляцыйна-легіраваныя структуры. Дэльта-легаваныяструктуры.
Структуры з квантавым абмежаваннем вонкавым электрычным полем. Структуры метал/дыэлектрык/паўправаднік. Структуры з расшчэпленай засаўкай. Мадэляванне эфекту квантавага абмежавання.
Мадэляванне балістычнага транспарта. Мадэляванне тунэлявання электронаў. Канструяванне перыядычных звышрашотак.
Нанатэхналогіі
Традыцыйныя метады аблогі плёнак. Хімічнае асаджэнне з газавай фазы. Малекулярна-прамянёвая эпітаксія.
Метады, якія выкарыстоўваюць сканіруючыя зонды. Фізічныя асновы. Атамная інжынерыя. Лакальнае акісленне металаў іпаўправаднікоў. Лакальнае хімічнае асаджэнне з газавай фазы.
Наналітаграфія. Электронна-прамянёвая літаграфія. Прафіляванне рэзістаў сканаванымі зондамі. Нанадрук. Параўнанне наналітаграфічных метадаў.
Самарэгулявальныя працэсы. Самазбор. Самаарганізацыя ў аб'ёмных матэрыялах. Самаарганізацыя пры эпітаксіі.
Выбар рэагентаў і рэжымаў хімічнага аблогі з газавай фазы. Выбар рэагентаў і рэжымаў малекулярна-прамянёвай эпітаксіі. Зондавыя тэхналогіі.
Нанаструктураваныя матэрыялы электроннай тэхнікі
Сітаваты крэмній. Фарміраванне. Уласцівасці. Ужыванне ў электроніцы.
Сітаваты анодны аксід алюмінія. Фарміраванне. Уласцівасці. Прымяненне ў электроніцы.
Фулерены і вугляродныя нанатрубкі. Фарміраванне. Уласцівасці. Ужыванне ў электроніцы.
Фарміраванне і даследаванне порыстага крэмнію. Фарміраванне і даследаванне порыстага аноднага аксіду алюмінію.
Электронныя ўласцівасці нанапамерных структур, нана- і оптаэлектронныя прыборы на іх аснове
Транспарт носьбітаў зарада ўздоўж патэнцыйных бар'ераў. Інтэрферэнцыя электронных хваляў. Вольт-амперныя характарыстыкі нізкапамерных структур. Квантавы эфект Хола. Электронныя прыборы на інтэрферэнцыйных эфектах.
Транспарт носьбітаў зарада праз патэнцыйныя бар'еры. Аднаэлектроннае тунэляванне і электронныя прыборы на гэтым эфекце. Рэзананснае тунэляванне і электронныя прыборы на гэтым эфекце.
Спінтроніка. Гіганцкае магнітасупраціўленне. Спін-кантралюемае тунэляванне. Кіраванне спінамі электронаў у паўправадніках. Эфект Конда. Электронныя прыборы на спінавых эфектах.
Аптычныя ўласцівасці нізкаразмерных структур і прыборы на іх аснове Асаблівасці аптычных уласцівасцей нізкапамерных структур. Лазеры і святловыпрамяняльныя дыёды. Дэтэктары выпраменьванняў.
Канструяванне электронных прыбораў на інтэрферэнцыйных эфектах. Канструяванне электронных прыбораў на аднаэлектронным тунэляванні. Канструяванне спінтронных прыбораў. Канструяванне оптаэлектронных прыбораў.